中新網(wǎng)11月13日電 才50歲就數(shù)度與諾貝爾物理學獎擦身而過的物理學家帕肯博士12日到臺灣云林科大演講。校長林聰明邀請他擔任該校第1位特聘講座講授。而早在10月，臺大物理系已搶先一步聘他。

　　據(jù)臺灣《中國時報》報道，帕肯自劍橋大學三一學院卡文迪西實驗室畢業(yè)，杰出校友有培根、牛頓、羅素、拜倫、甘地、尼赫魯，該學院已產(chǎn)生26位諾貝爾獎得主，他被高度期待為第27位。

　　可惜，屢被提名屢次落榜，今年再度與其它2位物理學家獲諾貝爾物理學獎提名，同樣都是研究“自旋電子”，帕肯是實務派學者，另2位是理論派，結(jié)果帕肯成了證實“巨磁阻效應”的推手，幫另2位學者獲獎。

　　今年諾貝爾物理學獎10月公布，前一天，帕肯在臺大演講。關鍵一刻再度落選，他遺憾嗎？“我沒想過！”帕肯說，被尊重、被認同是很好的事(指屢次獲諾貝爾獎提名)，會使他有更大的熱忱。

　　“科學才是我最關注的，其它諸如創(chuàng)意、實驗與伙伴工作都很重要，我沒時間想其它問題！”帕肯說，他喜歡研究，大部分時間都在做研究，興趣能與工作結(jié)合是件好事。

　　帕肯現(xiàn)任職于IBM公司，美國斯坦福大學自旋電子科學與應用中心主任，對自旋電子學研究貢獻卓越，發(fā)表過300篇重要文獻，獲得美國52項專利，20年前發(fā)現(xiàn)“巨磁阻現(xiàn)象”，引發(fā)自旋電子學的新研究領域。

　　臺灣云林科大人文學院長吳德和表示，計算機的讀寫頭感測材料原本是線圈，后來改為薄膜，因帕肯發(fā)現(xiàn)巨磁阻現(xiàn)象，讀寫頭感應裝置因而有了革命性提升，磁性記憶體(MRAM)也是自旋電子產(chǎn)品之一，已被列為下一世代新式記憶體。