記者日前從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，中國科學(xué)院微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室借助中科大國家同步輻射實(shí)驗(yàn)室二次X射線光刻工藝，近日成功研制出國內(nèi)首個(gè)256位分子存儲器電路。

　　據(jù)介紹，分子電路是指在分子層次上構(gòu)筑的電子器件及其集成電路，是后摩爾時(shí)代接替硅基電路最受關(guān)注的方向之一，它能夠使電子器件的關(guān)鍵尺寸縮小到分子尺度，推動集成電路向更小尺寸、更高集成度方向發(fā)展。

　　微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室的研究人員在深入研究后成功研制了國內(nèi)首個(gè)256位分子存儲器電路。該存儲器電路的特征尺寸達(dá)到250nm(納米)，電學(xué)性能優(yōu)異。這一進(jìn)展為我國分子電路的高集成度、高速度和低功耗的實(shí)現(xiàn)奠定了重要基礎(chǔ)，有力推動了我國分子電子學(xué)的發(fā)展。