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服務技術全面領先 朗科加速領跑閃存盤產業(yè)

2008年06月26日 16:04 來源:中國新聞網 發(fā)表評論

  中新網6月26日電 “從現在開始,朗科優(yōu)盤牌閃存盤的質保期為五年!绷鲁酰瑖鴥乳W存盤行業(yè)的領先廠商朗科公司宣布了這一消息。

  這是國內閃存盤一線大廠第一次將質保期限延長到五年,而此前所有一線品牌的質保期均為一年。

  “朗科此舉將給售后服務能力嚴重不足的二三線品牌帶來巨大沖擊。”有市場分析人士表示,在經歷了年初的降價潮之后,閃存盤二三線品牌的價格優(yōu)勢已經不復存在,此輪服務戰(zhàn)開打之后,閃存盤廠商將只能比拼內功了。

  朗科的底氣:多項新技術確保品質卓越

  眾所周知,延長質量保證期必須要有可靠的質量作保證,否則五年時間很可能將企業(yè)先前賺來的利潤蠶食殆盡。那么,朗科的底氣又來自哪里?

  據悉,閃存芯片的擦除次數是有限的,如果反復對某一數據塊進行擦寫,該數據塊很容易變成壞塊。目前SLC Flash的擦除壽命一般為100,000次,MLC Flash的擦除壽命一般為3,000~10,000次。如果不采用合理的讀寫方式,少部分數據塊將會因頻繁擦寫而急劇老化,出現了壞塊的閃存盤將無法保證讀寫數據的正確性。

  動靜態(tài)負載平衡技術和動態(tài)壞塊替換管理技術正是朗科為解決這一問題而發(fā)明的。所謂動靜態(tài)負載平衡技術,就是用戶往閃存盤存入數據的時候,閃存盤可以平均閃存內部各數據塊的擦寫次數,如果發(fā)現A數據塊已經寫入了100次,而B數據塊只使用了30次,那么再有數據存入的使用,閃存盤的控制芯片就會優(yōu)先安排存放在B數據塊上,從而避免了閃存芯片局部老化現象發(fā)生。

  而動態(tài)壞塊替換管理技術則是在閃存盤出現個別壞塊后可以及時回收,用備份塊替換,從而有效防止數據丟失,以后再寫入數據的時候,閃存盤就會自動“繞開”這一壞塊,這樣一來就能夠避免閃存盤完全報廢,從而大大提高了使用壽命。

  據業(yè)內人士稱,從以往經驗來看,90%以上報廢的閃存盤是因為出現了壞塊或因讀寫錯誤而無法使用,有了動靜態(tài)負載平衡技術和動態(tài)壞塊替換管理技術的保證,閃存盤的使用壽命將大大提高,這也是朗科閃存盤敢于承諾“五年質!钡牡讱。

  “優(yōu)芯4號”長劍出鞘,40MB/S速度驚人

  2008年3月,朗科推出了一款技術性能領先全球的閃存盤控制芯片——優(yōu)芯4號,朗科也是今年到目前為止國內閃存盤領域唯一推出新技術產品的廠商。

  優(yōu)芯4號的一個顯著特點是讀寫速度近40MB/S和20MB/S,這一速度是目前市面上大部分閃存盤讀寫速度的4倍,比一些國際知名品牌閃存盤的速度也要快兩倍。

  此外,優(yōu)芯4號還暗藏了另外一把利器——就是全球率先支持8Bit ECC糾錯技術。由于閃存本身的特性,閃存盤在進行讀寫時發(fā)生錯誤不可能完全避免,為了盡可能降低錯誤的發(fā)生,就必須采用ECC數字糾錯技術。目前市場上,一些閃存盤不采用任何的糾錯技術,而大多數閃存盤則采用“1Bit ECC”。

  “1Bit ECC”糾錯和“8Bit ECC”糾錯會有多大差別呢?舉例來說,在存入數據的時候,閃存盤控制芯片會自動對數據的完整性進行檢測,檢測到數據不完整或出現錯誤的時候就會立即糾正錯誤,然后再進行傳輸!1Bit ECC糾錯”就是每512Byte數據最大可糾正1Bit的錯誤數據,如果錯誤數據超過1Bit會怎么樣?數據就會在沒有完全糾正錯誤或不完整的狀態(tài)中被傳輸,因而也就出現亂碼、壓縮包損壞等各種情況。相比之下,8Bit ECC的糾錯能力就提高了8倍,能應付大部分數據傳輸中的錯誤,數據存取的安全性大為提高。

  “優(yōu)芯4號目前已經開始大規(guī)模使用,并在市場上引起了強烈反響!庇蟹治鋈耸勘硎,在閃存盤主流容量已經逼近8G的今天,速度快1到4倍是個誘人的性能,朗科優(yōu)芯4號正在使朗科公司“加速”領跑整個閃存盤產業(yè)。

  除此而外,技高一籌的朗科公司今年還推出了一款被譽為“Vista系統的興奮劑”的U285閃存盤。該產品完美匹配Windows Vista系統,支持ReadyBoost功能,提升PC系統性能。其原理是作業(yè)過程中,使用了USB2.0接口的閃存盤為緩存,在內存與硬盤之間建立一個閃存緩沖區(qū),從而減輕內存不足時可能帶來的不利影響。

  在做足了技術和服務的功夫之余,朗科公司在價格方面也展示了平易近人的風格。目前朗科U208、U200兩款閃存盤,2G的價格為89元,4G的價格僅為169元。作為世界第一款閃存盤的發(fā)明者,“優(yōu)盤®”商標的持有者,朗科再一次豎立了一個價格風向標。

編輯:段紅彪】
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